是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | E-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 1.2 | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JESD-30 代码: | E-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e2 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 100 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 3 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ELLIPTICAL | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 200 V | 最大反向恢复时间: | 6 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin/Silver (Sn/Ag) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYW82_10 | VISHAY |
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Standard Avalanche Sinterglass Diode | |
BYW82GP | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:200 TO 1000V CURRENT: 3.0A | |
BYW82-TAP | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND | |
BYW82-TR | VISHAY |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE | |
BYW83 | VISHAY |
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Silicon Mesa Rectifiers | |
BYW83GP | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:200 TO 1000V CURRENT: 3.0A | |
BYW83-TAP | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), | |
BYW83-TR | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND | |
BYW84 | VISHAY |
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Silicon Mesa Rectifiers | |
BYW84GP | GULFSEMI |
获取价格 |
SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:200 TO 1000V CURRENT: 3.0A |