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BYW81-200R

更新时间: 2024-02-08 17:54:36
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 功效二极管
页数 文件大小 规格书
1页 84K
描述
RECTIFIER DIODES

BYW81-200R 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84应用:EFFICIENCY
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 VJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:15 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
最大功率耗散:22 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向电流:15 µA
最大反向恢复时间:0.035 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

BYW81-200R 数据手册

  

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