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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 50 A |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 2 A | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向恢复时间： | 2.5 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn80Pb20) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYW54-TAP | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND |
|
| BYW54-TR | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND |
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| BYW55 | EIC |
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AVALANCHE RECTIFIER DIODES |
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| BYW55 | NXP |
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Controlled avalanche rectifiers |
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| BYW55 | VISHAY |
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Silicon Mesa Rectifiers |
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| BYW55/A52R | ETC |
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DIODE 1.8A 800V |
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| BYW55GP | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:600 TO 1000V CURRENT: 2.0A |
|
| BYW55P | DIOTEC |
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Standard Controlled Avalanche Rectifiers |
|
| BYW55T/R | NXP |
获取价格 |
SILICON, RECTIFIER DIODE |
|
| BYW55-TAP | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND |
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