生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 | 配置: | SINGLE |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.3 V |
最大非重复峰值正向电流: | 240 A | 元件数量: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 12 A |
最大重复峰值反向电压: | 150 V | 最大反向恢复时间: | 0.03 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYW30-200 | NXP |
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DIODE 12.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4, METAL PACKAGE-1, Rectifier Diode |
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BYW30-200 | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), |
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BYW30-200 | YAGEO |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 14A, 200V V(RRM), Silicon, |
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BYW30-200U | YAGEO |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 14A, 200V V(RRM), Silicon, |
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BYW30-50 | NXP |
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DIODE 12.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4, METAL PACKAGE-1, Rectifier Diode |
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BYW30-50U | NXP |
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DIODE 12.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4, METAL PACKAGE-1, Rectifier Diode |
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BYW31-100 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS |
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BYW31-100 | YAGEO |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 28A, 100V V(RRM), Silicon |
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BYW31-100 | NXP |
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RECTIFIER DIODE,100V V(RRM),DO-4 |
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BYW31-100HR2 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon, DO-4, |
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