生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.84 |
其他特性: | SURGE CAPABILITY | 应用: | ULTRA FAST SOFT RECOVERY |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 最大非重复峰值正向电流: | 88 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大输出电流: | 8 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 100 V | 最大反向恢复时间: | 0.025 µs |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYW29EB100T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), | |
BYW29EB-150 | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged | |
BYW29EB-150/T3 | NXP |
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DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode | |
BYW29EB150T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 150V V(RRM), | |
BYW29EB-150T/R | NXP |
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DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYW29EB-200 | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged | |
BYW29EB-200/T3 | NXP |
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DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode | |
BYW29EB200T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), | |
BYW29EB-200T/R | NXP |
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DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYW29EBSERIES | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast. rugged |