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BYV95E

更新时间： 2024-09-25 19:52:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 21K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AP

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BYV95E 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：E-LALF-W2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.46应用：FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-204APJESD-30 代码：E-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流：35 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ELLIPTICAL封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.5 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

BYV95E 数据手册

 浏览型号BYV95E的Datasheet PDF文件第2页 
BYV95 and BYV96 Series  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Miniature Glass Passivated  
Fast Switching Rectifier  
Reverse Voltage 200 to 1000 V  
Forward Current 1.5 A  
DO204AP  
Features  
• High temperature metallurgically bonded construction  
• Hermetically sealed package  
• Cavity-free glass passivated junction  
• 1.5 Ampere operation at TA=55°C with no thermal runaway  
• Typical IR less than 0.1µA  
0.034 (0.86)  
0.028 (0.71)  
DIA.  
1.0 (25.4)  
MIN.  
• Capable of meeting environmental standards of  
MIL-S-19500  
• Fast switching for high efficiency  
0.240 (6.1)  
MAX.  
• High temperature soldering guaranteed:  
350°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,  
5 lbs. (2.3kg) tension  
0.150 (3.8)  
Mechanical Data  
0.100 (2.5)  
DIA.  
Case: JEDEC DO-204AP Solid glass body  
Terminals: Solder plated axial leads, solderable per MIL-  
STD-750, Method 2026  
1.0 (25.4)  
MIN.  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.02 ounce, 0.56 gram  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Brazed-lead assembly is covered by Patent No. 3,930,306  
*
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbols BYV95A BYV95B BYV95C BYV96D BYV96E Units  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
1000  
Maximum average forward rectified current  
0.375” (9.5mm) lead length at TA=55°C  
IF(AV)  
IFSM  
1.5  
35  
A
A
Peak forward surge current, 10ms single half sine-  
wave superimposed on rated load at TJ=165°C  
Maximum full load reverse current,  
full cycle average, 0.375”, (9.5mm)  
lead length at  
TJ=25°C  
TJ=165°C  
IR(AV)  
1.0  
150  
µA  
Typical thermal resistance (1)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
RΘJA  
TJ  
55  
°C/W  
°C  
-65 to +175  
-65 to +200  
TSTG  
°C  
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Minimum avalanche breakdown voltage at 100µA  
V(BR)  
300  
500  
700  
900  
1100  
V
V
Maximum instantaneous forward  
voltage at 1.5A  
TJ =25°C  
TJ=165°C  
1.6  
1.35  
VF  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
IR  
2.0  
µA  
Maximum reverse recovery time at  
IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A  
trr  
250  
300  
ns  
Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz  
CJ  
10  
pF  
Notes:  
(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted  
Document Number 88559  
14-Mar-02  
www.vishay.com  
1
12

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