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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.83 |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.02 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 90 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 3.5 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.025 µs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYV28-200/50113 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-200/50133 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-200/A52R | ETC |
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DIODE ULTRA FAST |
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| BYV28-200-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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| BYV28-200-TAP | VISHAY |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKA |
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| BYV28-2GE | GULFSEMI |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFAST EFFICIENT SILICON RECTIFIER VOLTAGE:600V CURRENT:3.5A |
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| BYV28-300 | NXP |
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Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers |
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| BYV28-300 | LGE |
获取价格 |
Super Fast Rectifiers |
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| BYV28-300 | SUNMATE |
获取价格 |
Rectifier device High efficiency recovery rectifier (Trr 50... 75ns) |
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| BYV28-300/20112 | NXP |
获取价格 |
DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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