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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.63 | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 90 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 3.5 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向电流： | 1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYV28-200-TAP | VISHAY |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKA |
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| BYV28-2GE | GULFSEMI |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFAST EFFICIENT SILICON RECTIFIER VOLTAGE:600V CURRENT:3.5A |
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| BYV28-300 | NXP |
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Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers |
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| BYV28-300 | LGE |
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Super Fast Rectifiers |
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| BYV28-300 | SUNMATE |
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Rectifier device High efficiency recovery rectifier (Trr 50... 75ns) |
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| BYV28-300/20112 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/20113 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/20133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/21112 | NXP |
获取价格 |
DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/21113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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