是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.72 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 应用: | FAST RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.1 V | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 90 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 3.5 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
最大重复峰值反向电压: | 200 V | 最大反向电流: | 5 µA |
最大反向恢复时间: | 0.035 µs | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYV28-200/20112 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV28-200/20113 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV28-200/20133 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV28-200/21112 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV28-200/21113 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV28-200/21133 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV28-200/22112 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV28-200/22113 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV28-200/22133 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYV28-200/30112 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |