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BYV28-100/50112

更新时间: 2024-11-23 14:37:39
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8页 224K
描述
DIODE 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYV28-100/50112 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
Is Samacsys:N应用:ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.02 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:90 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3.5 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:5 µA最大反向恢复时间:0.025 µs
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BYV28-100/50112 数据手册

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