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BYV26E

更新时间： 2024-02-11 13:34:27
品牌 Logo 应用领域
台芯 - TAYCHIPST 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 3614K
描述
Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers

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BYV26E 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.2 VJESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
最高工作温度：175 °C最大输出电流：1 A
最大重复峰值反向电压：1400 V最大反向恢复时间：0.15 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)Base Number Matches：1

BYV26E 数据手册

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BYV26 series  
Fast soft-recovery  
200V-1400V 0.65A-1.05  
controlled avalanche rectifiers  
FEATURES  
• Glass passivated  
• High maximum operating  
• Low leakage current  
temperature  
• Excellent stability  
3.81  
max  
• Guaranteed avalanche energy  
• Available in ammo-pack.  
absorption capability  
 8
SOD57  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
LIMITING VALUES  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
repetitive peak reverse voltage  
BYV26A  
−
−
−
−
−
−
−
200  
V
V
V
V
V
V
V
BYV26B  
400  
600  
BYV26C  
VRRM  
V
=
R
BYV26D  
800  
BYV26E  
1000  
1200  
1400  
BYV26F  
BYV26G  
average forward current  
BYV26A to E  
T = 85 °C; lead length = 10 mm;  
tp  
IF(AV)  
IF(AV)  
IFRM  
see Figs 2 and 3;  
−
−
1.00  
1.05  
A
A
averaged over any 20 ms period;  
see also Figs 10 and 11  
BYV26F and G  
average forward current  
BYV26A to E  
amb = 60 °C; PCB mounting (see  
T
Fig.19); see Figs 4 and 5;  
averaged over any 20 ms period;  
see also Figs 10 and 11  
−
−
0.65  
0.68  
A
A
BYV26F and G  
repetitive peak forward current  
BYV26A to E  
−
−
10.0  
9.6  
A
A
tp = 85 °C; see Figs 6 and 7  
T
BYV26F and G  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
IFRM  
repetitive peak forward current  
BYV26A to E  
Tamb = 60 °C; see Figs 8 and 9  
−
−
−
6.0  
6.4  
30  
A
A
A
BYV26F and G  
IFSM  
non-repetitive peak forward current t = 10 ms half sine wave; Tj = Tj max  
prior to surge; VR = VRRMmax  
ERSM  
non-repetitive peak reverse  
avalanche energy  
IR = 400 mA; Tj = Tj max prior to  
surge; inductive load switched off  
−
10 mJ  
Tstg  
Tj  
storage temperature  
junction temperature  
−65  
−65  
+175 °C  
+175 °C  
see Figs 12 and 13  
E-mail: sales@taychipst.com  
Web Site: www.taychipst.com  
1 of 7  
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与BYV26E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV26E/4 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AP, ROHS COMPLIANT
BYV26EAGP GULFSEMI

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 		SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE: 1000V CURRENT: 1.5A
BYV26EAMO PHILIPS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM),
BYV26E-E3/54 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AP, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
BYV26EGP TAYCHIPST

获取价格

 		SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER
BYV26EGP VISHAY

获取价格

 		Glass Passivated Ultrafast Rectifier
BYV26EGP GULFSEMI

获取价格

 		SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTI
BYV26EGP SUNMATE

获取价格

 		1A plug-in fast recovery diode V DO-15 series
BYV26EGP RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 1000 V;Forward Current Io : 1000 mA;Max Surge Current : 30 A;Forward
BYV26EGP/100 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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