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BYT261PI-1000

更新时间: 2024-09-16 19:10:55
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 快速恢复二极管局域网测试
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1页 36K
描述
60A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYT261PI-1000 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84应用:FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.9 VJESD-30 代码:R-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:2
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:60 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
最大功率耗散:260 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向电流:100 µA
最大反向恢复时间:0.17 µs反向测试电压:1000 V
子类别:Other Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

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