5秒后页面跳转
BYM300B170DN2 PDF预览

BYM300B170DN2

更新时间: 2024-11-06 14:56:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 59K
描述
我们广为人知的带 EC2 的 62 mm 1700 V 二极管 模块是您设计的正确选择。

BYM300B170DN2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:MODULE
包装说明:R-XUFM-X3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.55
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-X3元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:300 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BYM300B170DN2 数据手册

 浏览型号BYM300B170DN2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BYM300B170DN2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BYM300B170DN2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BYM300B170DN2的Datasheet PDF文件第5页 
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
BYM 300 B 170 DN2  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Sperrspannung der Diode  
Diode rerverse voltage  
T
vj = 25°C  
VCES  
1700  
300  
600  
23,5  
4,0  
V
Dauergleichstrom  
DC forward current  
TC = 80 °C  
IF  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
IFRM  
tp = 1 ms  
Grenzlastintegral der Diode  
I2t - value, Diode  
I2t  
k A2s  
kV  
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Diode / Diode  
IF = 300A, VGE = 0V, Tvj = 25°C  
Durchlaßspannung  
-
-
2,2  
2
2,6  
-
V
V
VF  
forward voltage  
IF = 300A, VGE = 0V, Tvj = 125°C  
IF = 300A, - diF/dt = 4500A/µs  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
V
R = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C  
VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C  
F = 300A, - diF/dt = 4500A/µs  
R = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C  
VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C  
F = 300A, - diF/dt = 4500A/µs  
R = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C  
IRM  
-
-
220  
330  
-
-
A
A
I
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
V
Qr  
-
-
34  
75  
-
-
µAs  
µAs  
I
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
V
Erec  
-
-
16  
31  
-
-
mWs  
mWs  
VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C  
prepared by: Alfons Wiesenthal  
approved by: Christoph Lübke  
date of publication: 2002-11-25  
revision: 2.2  
1(4)  
DB_BYM300B170DN2_2.2.xls  

与BYM300B170DN2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYM32 BL Galaxy Electrical

获取价格

PLASTIC SILICON RECTIFIER
BYM32 LGE

获取价格

Plastic Silicon Rectifier
BYM32Z BL Galaxy Electrical

获取价格

PLASTIC SILICON RECTIFIER
BYM357DX NXP

获取价格

Damper-Modulator fast, high-voltage
BYM357X NXP

获取价格

Damper-Modulator fast, high-voltage
BYM357X,127 NXP

获取价格

BYM357X
BYM358DX NXP

获取价格

Damper-Modulator fast, high-voltage
BYM358X NXP

获取价格

Damper-Modulator fast, high-voltage
BYM358X,127 NXP

获取价格

BYM358X
BYM359DX NXP

获取价格

Dual diode fast, high-voltage