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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.44 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 30 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYG90-30-T | NXP |
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暂无描述 |
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| BYG90-30T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), |
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| BYG90-40 | NXP |
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Schottky barrier rectifier diodes |
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| BYG90-40115 | NXP |
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1A, 40V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| BYG90-40-T | NXP |
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1A, 40V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| BYG90-40T/R | NXP |
获取价格 |
1A, 40V, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| BYG90-90 | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier rectifier diode |
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| BYG90-90115 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYG90-90-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYGR20G | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode |
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