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BYD17MTRL

更新时间: 2024-09-26 13:01:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
8页 58K
描述
DIODE 0.6 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BYD17MTRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.82
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.6 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:3 µs表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

BYD17MTRL 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BYD17 series  
General purpose  
controlled avalanche rectifiers  
Product specification  
1999 Nov 11  
Supersedes data of 1996 Sep 26  

与BYD17MTRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYD17MTRL13 NXP

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DIODE 0.6 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
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