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BYD17MT/R

更新时间: 2024-09-26 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
8页 58K
描述
DIODE 0.6 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SO-2, Signal Diode

BYD17MT/R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOD
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.82
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.6 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向恢复时间:3 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

BYD17MT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BYD17 series  
General purpose  
controlled avalanche rectifiers  
Product specification  
1999 Nov 11  
Supersedes data of 1996 Sep 26  

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