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BY527-TR

更新时间： 2024-11-20 21:13:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
DIODE 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Rectifier Diode

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BY527-TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：E-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：E-LALF-W2
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ELLIPTICAL封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向恢复时间：4 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BY527-TR 数据手册

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BY527  
Vishay Semiconductors  
Standard Avalanche Sinterglass Diode  
Features  
• Controlled avalanche characteristics  
• Glass passivated junction  
e2  
• Hermetically sealed package  
• Low reverse current  
• High surge current capability  
• Lead (Pb)-free component  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
949539  
Applications  
Mechanical Data  
General purpose  
Case: SOD-57 Sintered glass case  
Terminals: Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Weight: approx. 369 mg  
Parts Table  
Part  
Type differentiation  
VR = 800 V; IFAV = 2 A  
Package  
BY527  
SOD-57  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
IR = 100 µA  
Symbol  
VRSM  
Value  
Unit  
V
Peak reverse voltage, non  
repetitive  
1250  
Reverse voltage  
see electrical characteristics  
tp = 10 ms, half sinewave  
VR  
IFSM  
IFRM  
IFAV  
PR  
800  
50  
V
A
Peak forward surge current  
Repetitive peak forward current  
Average forward current  
Pulse avalanche peak power  
12  
A
ϕ = 180 °  
2
A
Tj = 175 °C, tp = 20 µs,  
1000  
W
half sinus wave  
Pulse energy in avalanche  
mode, non repetitive (inductive  
load switch off)  
I
(BR)R = 1 A, Tj = 175 °C  
ER  
20  
mJ  
i2 * t-rating  
i2*t  
A2*s  
°C  
8
Junction and storage  
temperature range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 175  
Document Number 86007  
Rev. 1.6, 14-Apr-05  
www.vishay.com  
1
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BY527-TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BY527TAP VISHAY

类似代替

 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,
BY527-TAP VISHAY

功能相似

 DIODE 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Rec

与BY527-TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BY539-1500 NXP

获取价格

 		DIODE 10 A, 1500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, Rectifier Diode
BY550 DIOTEC

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