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BY505T/R

更新时间: 2024-11-24 13:06:03
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恩智浦 - NXP 高压
页数 文件大小 规格书
6页 36K
描述
DIODE 0.05 A, 2200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BY505T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.75
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:120 °C最大输出电流:0.05 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:2200 V最大反向恢复时间:0.2 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BY505T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
M
BY505  
High-voltage soft-recovery rectifier  
1996 Sep 26  
Product specification  
Supersedes data of May 1996  

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