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BY329X-1200

更新时间： 2024-09-19 22:10:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管局域网软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 60K
描述
Rectifier diodes fast, soft-recovery

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BY329X-1200 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.73
应用：FAST SOFT RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.85 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：71 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：7 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向恢复时间：0.145 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BY329X-1200 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
fast, soft-recovery  
BY329F, BY329X series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
VR = 800 V/ 1000 V/ 1200 V  
• Soft recovery characteristic  
• High thermal cycling performance  
• Isolated mounting tab  
k
1
a
2
IF(AV) = 8 A  
IFSM ≤ 65 A  
trr ≤ 145 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
Glass-passivated double diffused rectifier diodes featuring low forward voltage drop, fast reverse recovery and soft  
recovery characteristic. The devices are intended for use in TV receivers, monitors and switched mode power supplies.  
The BY329F series is supplied in the conventional leaded SOD100 package.  
The BY329X series is supplied in the conventional leaded SOD113 package.  
PINNING  
SOD100  
SOD113  
PIN  
DESCRIPTION  
cathode  
anode  
isolated  
case  
case  
1
2
tab  
1
2
1
2
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
BY329F / BY329X  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-800 -1000 -1200  
VRSM  
Peak non-repetitive reverse  
-
800  
1000 1200  
V
voltage  
VRRM  
VRWM  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
-
-
800  
600  
1000 1200  
800  
8
V
V
1000  
IF(AV)  
Average forward current1  
square wave; δ = 0.5;  
hs ≤ 83 ˚C  
sinusoidal; a = 1.57;  
hs ≤ 90 ˚C  
-
-
A
A
T
7
T
IF(RMS)  
IFRM  
RMS forward current  
Peak repetitive forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
-
11  
16  
A
A
T
hs ≤ 83 ˚C  
IFSM  
Peak non-repetitive forward  
current.  
t = 10 ms  
-
-
65  
71  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; Tj = 150 ˚C prior  
to surge; with reapplied  
VRWM(max)  
I2t  
Tstg  
Tj  
I2t for fusing  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
t = 10 ms  
-
-40  
-
28  
150  
150  
A2s  
˚C  
˚C  
1. Neglecting switching and reverse current losses.  
September 1998  
1
Rev 1.100  
 
1234567

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与BY329X-1200相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BY329X-1200,127 NXP

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 		DIODE 7 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
BY329X1500 NXP

获取价格

 		Damper diode fast, high-voltage
BY329X-1500 NXP

获取价格

 		Damper diode fast, high-voltage
BY329X-1500 FRONTIER

获取价格

 		DAMPER DIODE FAST , HIGH VOLTAGE
BY329X-1500S FRONTIER

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 		DAMPER DIODE FAST , HIGH VOLTAGE
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