BY329-1000

更新时间： 2024-02-26 04:10:49

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恩智浦 - NXP		整流二极管
页数	文件大小	规格书
6页	45K
描述
Rectifier diodes fast, soft-recovery

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BY329-1000 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C	应用：	FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.85 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	80 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向电流：	1000 µA
最大反向恢复时间：	0.15 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

BY329-1000 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

fast, soft-recovery

BY329 series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

V_R= 800 V/ 1000 V/ 1200 V

I_F(AV)= 8 A

• Low forward volt drop

• Fast switching

• Soft recovery characteristic

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

I_FSM≤ 75 A

t_rr≤ 135 ns

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOD59 (TO220AC)

Glass-passivated double diffused

rectifier diodes featuring low

forward voltage drop, fast reverse

recovery and soft recovery

characteristic. The devices are

intended for use in TV receivers,

monitors and switchedmode power

supplies.

DESCRIPTION

cathode

anode

cathode

tab

The BY329 series is supplied in the

conventional

leaded

SOD59

(TO220AC) package.

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

BY329

-800 -1000 -1200

V_RSM

Peak non-repetitive reverse

800

1000 1200

voltage

V_RRM

V_RWM

Peak repetitive reverse voltage

Crest working reverse voltage

Average forward current¹

800

600

1000 1200

800

1000

I_F(AV)

square wave; δ = 0.5;

_mb≤ 122 ˚C

sinusoidal; a = 1.57;

_mb≤ 125 ˚C

I_F(RMS)

I_FRM

RMS forward current

Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;

_mb≤ 122 ˚C

I_FSM

Non-repetitive peak forward

current.

t = 10 ms

t = 8.3 ms

sinusoidal; T_j= 150 ˚C prior

to surge; with reapplied

V_RWM(max)

I²t

T_stg

T_j

I²t for fusing

Storage temperature

Operating junction temperature

t = 10 ms

-40

150

A²s

˚C

1 Neglecting switching and reverse current losses.

September 1998

Rev 1.200

12 3 4 5 6

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