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BY255GP-E3/51

更新时间： 2024-02-02 21:39:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 84K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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BY255GP-E3/51 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.61
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1300 V最大反向恢复时间：3 µs
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

BY255GP-E3/51 数据手册

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BY251GP thru BY255GP  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Junction Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Superectifier structure for High Reliability  
application  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current, I less than 0.1 µA  
R
• High forward surge capability  
DO-201AD  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
* Glass-plastic encapsulation  
technique is covered by  
Patent No. 3,996,602, and  
brazed-lead assembly by  
Patent No. 3,930,306  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power  
supplies, inverters, converters and free-wheeling  
diodes for both consumer and automotive applications.  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
3.0 A  
200 V to 1300 V  
100 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-201AD, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
5.0 µA  
VF  
1.1 V  
Tj max.  
175 °C  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL BY251GP BY252GP BY253GP BY254GP BY255GP UNIT  
Maximum non repetitive peak reverse voltage  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRSM  
VRRM  
VRMS  
VDC  
220  
200  
140  
200  
440  
400  
280  
400  
660  
600  
420  
600  
880  
800  
560  
800  
1430  
1300  
910  
V
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
1300  
Maximum average forward rectified current 10 mm lead  
length at TA = 55 °C  
IF(AV)  
3.0  
A
A
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
100  
Maximum full load reverse current, full cycle average  
10 mm lead length at TA = 55 °C  
IR(AV)  
100  
µA  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Document Number 88541  
23-Feb-07  
www.vishay.com  
1
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与BY255GP-E3/51相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BY255GP-E3/53 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 1300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
BY255GP-E3/58 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 1300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
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 		DIODE 3 A, 1300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
BY255GP-E3/92 VISHAY

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