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BXY56

更新时间： 2024-09-15 03:13:19

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ASI		二极管
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描述
SILICON MULTIPLIER DIODE

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BXY56 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-XEMW-N2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.8	最小击穿电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小截止频率：	160 MHz
最大二极管电容：	2.5 pF	最小二极管电容：	1.5 pF
标称二极管电容：	2 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	STEP RECOVERY DIODE	JESD-30 代码：	O-XEMW-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	MICROWAVE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	60 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

BXY56 数据手册

BXY56

SILICON MULTIPLIER DIODE

DESCRIPTION:

The ASI BXY56 is a Varactor Diode

Designed for Operation in Low and

High Order Multiplier Circuits.

PACKAGE STYLE 51

MAXIMUM RATINGS

100 mA

I_C

V_CE

P_DISS

T_J

60 V

5.2 W @ T_C= 50 ^OC

-55 ^OC to +175 ^OC

24 ^OC/W

T_STG

θ_JC

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

V_B

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_R= 10 µA

V_R= -6.0 V

V_R= 6.0 V

1.5

160

C_j

f = 1.0 MHz

f = 10 GHz

2.5

f_c-6

GHz

T_l

T_t

6.0 mA / 10 mA

10 V / 10 mA

µS

350

MARKING

INK DOT INDICATES CATHODE END

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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