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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BV12 | SEMIKRON |
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High voltage silicon rectifier diodes |
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| BV1220 | XTAITQ |
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体积小，稳定度高，功耗低，抗冲击和振动 |
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| BV12C | BENCENT |
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Transient Voltage Suppressor |
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| BV12C_16 | BENCENT |
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Transient Voltage Suppressor |
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| BV16 | SEMIKRON |
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High voltage silicon rectifier diodes |
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| BV1HAL45EFJ | ROHM |
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BV1HAL45EFJ是1个电路内置了Nch MOSFET的高边负载开关，输入电压范围为8 |
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| BV1HAL85EFJ | ROHM |
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BV1HAL85EFJ是1个电路内置了Nch MOSFET的高边负载开关，输入电压范围为8 |
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| BV1HALA5EFJ | ROHM |
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BV1HALA5EFJ是1个电路内置了Nch MOSFET的高边负载开关，输入电压范围为8 |
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| BV1HB040EFJ-C | ROHM |
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The BV1HB040EFJ-C single channel 40mΩ Intelli |
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| BV1HB045EFJ-C | ROHM |
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BV1HB045EFJ-C是一款车载用单通道高边开关。内置输出异常模式接地故障检测功能（过 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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