BUZ173

更新时间： 2024-11-26 23:14:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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9页	184K
描述
SIPMOS Power Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated)

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BUZ173 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3.6 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUZ173 数据手册

BUZ 173

SIPMOS Power Transistor

• P channel

• Enhancement mode

• Avalanche rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

)

DS(on

Package

Ordering Code

BUZ 173

-200 V

-3.6 A

1.5 Ω

TO-220 AB

C67078-S1452-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

-3.6

Unit

Continuous drain current

T = 30 °C

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

-14

Avalanche energy, single pulse

I = -3.6 A, V = -25 V, R = 25

Ω

L = 23 mH, T = 25 °C

200

Gate source voltage

Power dissipation

± 20

tot

T = 25 °C

Operating temperature

Storage temperature

-55 ... + 150 °C

-55 ... + 150

stg

≤

Thermal resistance, chip case

3.1

K/W

thJC

thJA

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

55 / 150 / 56

Semiconductor Group

07/96

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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