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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ172-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ172-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ173 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated) |
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| BUZ173-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ173-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ173-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ18 | INFINEON |
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| BUZ20 | INTERSIL |
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12A, 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| BUZ20 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ201 | INFINEON |
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