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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.26 | 雪崩能效等级（Eas）： | 41 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 42 A | 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 168 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ14 | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ15 | INFINEON |
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SIPMOS POWER TRANSISTOR |
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| BUZ16 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-204AE |
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| BUZ16S2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-204AE |
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| BUZ17 | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ171 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated) |
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| BUZ171CHP | VISHAY |
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Transistor |
|
| BUZ172 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated) |
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| BUZ172-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ172-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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