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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.26 | 雪崩能效等级（Eas）： | 14 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ11S2-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11S2FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220 |
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| BUZ11T | MOTOROLA |
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30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11U | MOTOROLA |
获取价格 |
30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11UA | MOTOROLA |
获取价格 |
30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11W | MOTOROLA |
获取价格 |
30 A, 50 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11WC | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ12 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ12A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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