BUZ11S2

更新时间： 2024-11-26 23:14:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管
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9页	122K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

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BUZ11S2 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

BUZ11S2 数据手册

BUZ 11 S2

Not for new design

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Ordering Code

DS(on)

Ω

BUZ 11 S2

60 V

30 A

0.04

TO-220 AB

C67078-S1301-A5

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Continuous drain current

T = 29 °C

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

120

Avalanche current,limited by T

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

Avalanche energy, single pulse

1.9

jmax

Ω

I = 30 A, V = 25 V, R = 25

L = 15.6 µH, T = 25 °C

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 °C

Operating temperature

Storage temperature

-55 ... + 150 °C

-55 ... + 150

stg

≤

Thermal resistance, chip case

1.67

K/W

thJC

≤

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

thJA

55 / 150 / 56

Semiconductor Group

07/96

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BUZ11S2-E3046	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BUZ11S2FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-220
BUZ11T	MOTOROLA	获取价格	30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
BUZ11U	MOTOROLA	获取价格	30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
BUZ11U2	MOTOROLA	获取价格	30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
BUZ11UA	MOTOROLA	获取价格	30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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BUZ11WC	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta