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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUZ100L
BUZ100L PDF预览

BUZ100L

更新时间： 2024-09-23 22:27:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 190K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level)

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BUZ100L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.26Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUZ100L 数据手册

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BUZ 100L  
®
SIPMOS Power Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche-rated  
• Logic Level  
• dv/dt rated  
• Ultra low on-resistance  
• 175 °C operating temperature  
• also in TO-220 SMD available  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
D
S
Type  
V
DS  
I
R
DS(on)  
Package  
Ordering Code  
D
BUZ 100L  
50 V  
60 A  
0.018 Ω  
TO-220 AB  
C67078-S1354-A2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
60  
Unit  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 101 °C  
C
Pulsed drain current  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
C
240  
Avalanche energy, single pulse  
I = 60 A, V = 25 V, R = 25 Ω  
E
AS  
mJ  
D
DD  
GS  
L = 70 µH, T = 25 °C  
250  
j
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I = 60 A, V = 40 V, di /dt = 200 A/µs  
S
DS  
F
T
= 175 °C  
6
jmax  
±
±
Gate source voltage  
V
V
P
14  
20  
V
GS  
Gate-source peak voltage,aperiodic  
Power dissipation  
gs  
W
tot  
T = 25 °C  
C
250  
Semiconductor Group  
1
07/96  
1234567...9

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与BUZ100L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUZ100LC67078-S1348-A2 INFINEON

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 		TRANSISTOR LOGIK MOSFET TO 220
BUZ100S INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
BUZ100S4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO
BUZ100S-4 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 55V, 0.02ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BUZ100SE3045 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 77A I(D) | TO-263AB
BUZ100SE3045A ETC

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 		N-Channel Enhancement MOSFET
BUZ100SL INFINEON

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