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BUX18B

更新时间： 2024-01-04 01:53:18

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无锡固电 - ISC		/
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2页	194K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BUX18B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

BUX18B 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

BUX18/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 200V(Min)- BUX18

= 325V(Min)- BUX18A

= 375V(Min)- BUX18B

= 425V(Min)- BUX18C

·High Switching Speed

·High Power Dissipation

APPLICATIONS

·Designed for use in off-line power supplies and is also well

suited for use in a wide range of inverter or converter circuits

and pulse-width-modulated regulators.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

250

350

400

475

200

325

375

425

UNIT

BUX18

BUX18A

BUX18B

BUX18C

BUX18

Collector-Emitter Voltage

V_BE= -1.5V

V_CEV

BUX18A

BUX18B

BUX18C

V_CEO(SUS)Collector-Emitter Voltage

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

P_C

120

200

-65~200

℃

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

T_J

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.17

℃/W

R_{th j-c}

isc website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BUX18C	ISC	isc Silicon NPN Power Transistor	获取价格
BUX20	SEME-LAB	HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTOR	获取价格
BUX20_10	SEME-LAB	SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR	获取价格
BUX20A	ISC	isc Silicon NPN Power Transistor	获取价格
BUX20CECC	ETC	NPN	获取价格
BUX21	ISC	isc Silicon NPN Power Transistor	获取价格