BUW40

更新时间： 2024-01-20 00:01:49

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	113K
描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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BUW40 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	140 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

BUW40 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

BUW40/A/B

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 300V(Min)- BUW40

= 350V(Min)- BUW40A

= 400V(Min)- BUW40B

·High Switching Speed

·High Power Dissipation

APPLICATIONS

·Designed for high voltage and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

450

550

650

300

350

400

UNIT

BUW40

Collector-Emitter Voltage

V_BE= -1.5V

V_CEV

BUW40A

BUW40B

BUW40

V_CEO(SUS)Collector-Emitter Voltage

BUW40A

BUW40B

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

P_C

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

℃

T_J

150

-65~150

Storage Temperature

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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与BUW40相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BUW40A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 350V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220AB	获取价格
BUW40B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220AB	获取价格
BUW41	ISC	isc Silicon NPN Power Transistors	获取价格
BUW41-6200	RENESAS	8A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
BUW41-6203	RENESAS	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
BUW41-6226	RENESAS	8A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格