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BUW35

更新时间： 2024-01-19 07:34:35

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3页	43K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BUW35 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.74
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BUW35 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

BUW35

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·For high voltage ,fast switching

applications

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

800

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

400

Open collector

I_CM

I_B

Collector current-peak

Base current

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C≤25℃

125

200

-65~200

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

1.4

℃/W

JMnic

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BUW35LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
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