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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.9 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 350 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 12 |
| JEDEC-95代码： | TO-218 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 55 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 2100 ns | 最大开启时间（吨）： | 600 ns |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BUW34 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| BUW34 | CENTRAL | Power Transistors |
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| BUW34 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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| BUW34 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| BUW34 | STMICROELECTRONICS | 10A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
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| BUW34 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 400V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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