BUW11A

更新时间： 2024-02-25 06:50:28

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	122K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BUW11A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	PLASTIC, TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUW11A 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BUW11 BUW11A

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High voltage ;high speed

APPLICATIONS

·Converters

·Inverters

·Switching regulators

·Motor control systems

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

850

1000

400

450

UNIT

BUW11

BUW11A

BUW11

BUW11A

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

Collector current-peak

Base current

I_BM

P_T

Base current-peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

150

-65~150

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-mb}

Thermal resistance from junction to mounting base

1.25

K/W

12 3

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