是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.76 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 25 A |
集电极-发射极最大电压: | 125 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 10 | JEDEC-95代码: | TO-204AA |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUV51 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | |
BUV52 | STMICROELECTRONICS |
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20A, 250V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 | |
BUV52 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 250V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
BUV52A | SEME-LAB |
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FAST SWITCHING POWER TRANSISTOR | |
BUV56 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220 | |
BUV60 | ONSEMI |
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SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor | |
BUV60 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device | |
BUV60 | MOTOROLA |
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50A, 125V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE | |
BUV61 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR | |
BUV61 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |