BUV50

更新时间： 2024-11-04 06:44:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	105K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BUV50 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BUV50 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUV50

DESCRIPTION

·High Current Capability

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 0.8V (Max.) @I_C= 10A

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for high current, high speed, high power

applications.

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CEV

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

250

125

UNIT

Collector-Emitter Voltage

(V_BE= -1.5V)

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-peak

I_CM

I_B

I_BM

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

150

175

-65~175

℃

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

1.0

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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