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BUT56A

更新时间： 2024-02-26 07:56:58

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永盛 - Wing Shing		晶体晶体管开关输出元件高压
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1页	24K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE SWITCHING USE IN HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE)

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BUT56A 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	450 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	100 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12 MHz
最大关闭时间（toff）：	3500 ns

BUT56A 数据手册

BUT56A

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE SWITCHING USE IN

HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE

SC-65

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)

Characteristic

Collector-Base Voltage

Collector-EmitterVoltage

Emitter-Base voltage

Collector Current (DC)

Collector Peck Current

Base Current (DC)

Symbol

Rating

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

ICM

1000

450

Tstg

100

150

-65~150

°C

Collector Dissipation (Tc=25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C)

Unit

Characterristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

MHZ

µS

Collector Cutoff Current (VBE=0)

Emitter Cutoff Current(IC=0)

Collector Emitter Saturation Voltage

Base- Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwith Product

Turn-Off Time

ICES

IEBO

VCE(sat)

VBE(sat) IC=5A,

VCE= 800V , VEB= 0

2.5

VEB= 6V ,

IC=5A,

IC=0

IB=0.5A

IB=1.2A

VCE= 10V , IC=500mA

toff

IC=4A,

IC=5A,

IB=0.4A

IB=0.6A

IB=1.0A

0.75

0.5

µS

Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.

Homepage: http://www.wingshing.com

Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153

E-mail: wsccltd@hkstar.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BUT56A16A	MOTOROLA	获取价格	8A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BUT56AA	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BUT56AAF	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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