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BUT56

更新时间： 2024-01-27 14:41:13

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	92K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BUT56 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	450 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	100 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12 MHz
最大关闭时间（toff）：	3500 ns

BUT56 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BUT56 BUT56A

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High voltage;high speed

·High power dissipation

APPLICATIONS

·Switching mode power supply

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolut maximum ratings (Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

800

1000

400

450

UNIT

BUT56

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

BUT56A

BUT56

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

BUT56A

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

I_CM

I_BM

P_tot

T_j

Collector current-peak

Base current-peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

100

150

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal resistance junction to mounting case

1.25

K/W

R_{th j-c}

12 3

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