BUT54

更新时间： 2024-09-25 06:44:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	257K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BUT54 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

BUT54 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUT54

DESCRIPTION

·High Voltage

·High Speed Switching

·High Power Dissipation

APPLICATIONS

·Designed for switching mode power supply and electronic

ballast applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

800

430

UNIT

Collector-Emitter Voltage

_BE≤100Ω

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Peak

I_CM

I_BM

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

100

150

-55~150

℃

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.25

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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