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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 550 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 12 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUT47CU2 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT47CUA | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| BUT47CW | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| BUT47CWD | MOTOROLA |
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8A, 550V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| BUT50P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 500V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218 |
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| BUT51P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 500V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218 |
|
| BUT54 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
|
| BUT56 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BUT56 | ANALOGICTECH |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS |
|
| BUT56 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
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