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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUT47CT | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT47CU | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT47CU2 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT47CUA | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT47CW | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT47CWD | MOTOROLA |
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8A, 550V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BUT50P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 500V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218 |
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| BUT51P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 500V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218 |
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| BUT54 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| BUT56 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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