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BUT211

更新时间： 2024-11-14 06:44:47

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
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描述
Silicon NPN Power Transistor

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BUT211 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUT211

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 400V(Min.)

·High Speed Switching

APPLICATIONS

·Designed for high frequency electronic lighting ballast

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

850

400

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-peak

I_CM

I_B

I_BM

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

100

150

-65~150

℃

P_C

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.25

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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