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BUT11APX,127 PDF预览

BUT11APX,127

更新时间： 2024-11-15 19:45:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 58K
描述
BUT11APX

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BUT11APX,127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220包装说明：PLASTIC, SOT-186A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.74外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：450 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：14
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：32 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUT11APX,127 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BUT11APX  
GENERAL DESCRIPTION  
Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack  
envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional  
tolerance to base drive and collector current load variations resulting in a very low worst case dissipation.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCBO  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1000  
1000  
450  
5
V
V
Collector-Base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
V
-
-
A
A
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Collector saturation current  
Fall time  
10  
Ptot  
Ths ≤ 25 ˚C  
-
32  
W
V
VCEsat  
ICsat  
tf  
-
1.5  
-
3.5  
145  
A
ICsat=2.5A,IB1=0.5A,IB2=0.8A  
160  
ns  
PINNING - SOT186A  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
case  
base  
2
collector  
emitter  
b
3
case isolated  
1
2 3  
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
VCBO  
IC  
Collector to emitter voltage  
VBE = 0 V  
-
1000  
450  
1000  
5
V
V
Collector to emitter voltage (open base)  
Collector to base voltage (open emitter)  
Collector current (DC)  
-
-
V
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
Base current peak value  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction temperature  
-
10  
A
IB  
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
2
A
-
-
4
A
Ths ≤ 25 ˚C  
32  
W
˚C  
˚C  
-65  
-
150  
150  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-hs  
Rth j-a  
Junction to heatsink  
Junction to ambient  
with heatsink compound  
in free air  
-
3.95  
-
K/W  
K/W  
55  
September 1998  
1
Rev 1.000  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUT11APX-1200 NXP

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