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BUT11A-BP

更新时间： 2024-11-15 13:05:59
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美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 395K
描述
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BUT11A-BP 数据手册

 浏览型号BUT11A-BP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
BUT11A  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
NPN Silicon  
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Power Transistors  
·
·
·
Moisure Sensitivity Level 1  
High voltage, high speed NPN power transistors.  
With TO-220 package  
·
Intended for use in converters, inverters, switching regulators, motor  
control systems.  
TO-220  
C
B
Maximum Ratings  
S
F
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
ICP  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Peak Collector Current  
Collector Current  
Rating  
450  
1000  
9.0  
10  
Unit  
V
V
V
A
Q
T
A
U
IC  
5.0  
A
1
2
3
PC  
TJ  
TSTG  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
100  
-55 to +150  
-55 to +150  
W
OC  
OC  
H
K
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
V
L
J
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
D
R
OFF CHARACTERISTICS  
G
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
COLLECTOR  
EMITTER  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
450  
---  
---  
1.0  
10  
Vdc  
mAdc  
mAdc  
N
(I =100mAdc, IB=0)  
C
DIMENSIONS  
ICBO  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=1000Vdc,IE=0)  
INCHES  
MM  
MIN  
14.22  
9.65  
MAX  
15.88  
10.67  
NOTE  
DIM  
A
MIN  
MAX  
.625  
.560  
.380  
.140  
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=9.0Vdc, IC=0)  
---  
B
C
.420  
.190  
3.56  
4.82  
ON CHARACTERISTICS  
D
F
.020  
.139  
.190  
---  
.045  
.161  
.110  
.250  
.025  
0.51  
3.53  
2.29  
---  
1.14  
4.09  
2.79  
6.35  
0.64  
hFE-1  
hFE-2  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Forward Current Transfer ratio  
10  
10  
---  
---  
35  
35  
---  
---  
G
H
J
(I =5.0mAdc, VCE=5.0Vdc)  
Forward Current Transfer ratio  
C
.012  
0.30  
K
L
.500  
.045  
.580  
.060  
12.70  
1.14  
14.73  
1.52  
(I =500mAdc, VCE=5.0Vdc)  
C
Collector-Emitter Saturation Voltage  
1.5  
1.3  
Vdc  
Vdc  
N
.190  
.210  
4.83  
5.33  
(I =2.5Adc, IB=0.5Adc)  
C
Q
R
S
T
U
V
.100  
.080  
.045  
.230  
-----  
.135  
.115  
.055  
.270  
.050  
-----  
2.54  
2.04  
1.14  
5.84  
-----  
3.43  
2.92  
1.39  
6.86  
1.27  
-----  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =2.5Adc, IB=0.5Adc)  
C
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
.045  
1.15  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 2  
12

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与BUT11A-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUT11A-BP-HF MCC

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BUT11AF PHILIPS

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 		Transistor,
BUT11AF MOTOROLA

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 		POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 450 VOLTS 40 WATTS
BUT11AF NXP

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 		Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AF Wing Shing

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BUT11AF FAIRCHILD

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BUT11AF ISC

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