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BUS132

更新时间： 2024-10-03 01:18:07

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无锡固电 - ISC		/
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描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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BUS132 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

BUS132/A

DESCRIPTION

·High Switching Speed

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 450V (Min)-BUS132

500V (Min)-BUS132A

APPLICATIONS

·Designed for use in very fast switching applications in

inductive circuits.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

MAX

850

UNIT

BUS132

BUS132A

BUS132

BUS132A

Collector- Emitter

Voltage(V_BE= 0)

V_CES

1000

450

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

500

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

I_BM

P_C

T_j

Base Current-Peak

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

150

200

-65~200

℃

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.17

℃/W

R_{th j-c}

isc website：www.iscsemi.cn

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