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BUS11

更新时间： 2024-01-12 11:56:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
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2页	84K
描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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BUS11 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUS11 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

BUS11/A

DESCRIPTION

·High Switching Speed

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 400V (Min)-BUS11

450V (Min)-BUS11A

APPLICATIONS

·Designed for use in converters, inverters, switching

regulators, motor control systems etc.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

MAX

850

UNIT

BUS11

Collector- Emitter

Voltage(V_BE= 0)

V_CES

BUS11A

BUS11

1000

400

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

BUS11A

450

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

I_BM

P_C

T_j

Base Current-Peak

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

100

200

-65~200

℃

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.75

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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