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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUP57 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 25A I(C) | SOT-93 |
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| BUP58 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 15A I(C) | SOT-93 |
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| BUP59 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3 |
|
| BUP60 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 370V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3 |
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| BUP602D | INFINEON |
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IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail curre |
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| BUP603D | INFINEON |
获取价格 |
IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail curre |
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| BUP604 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanc |
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| BUP61 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 370V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3 |
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| BUP62 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 420V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3 |
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| BUP63 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 420V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3 |
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