BULD1101E-1

更新时间： 2024-09-26 02:50:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管功率双极晶体管高压
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描述
High voltage fast-switching NPN Power Transistor

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BULD1101E-1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	ROHS COMPLIANT, IPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	450 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	6	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BULD1101E-1 数据手册

BULD1101E

High voltage fast-switching NPN Power Transistor

General features

■ High voltage capability

■ Low spread of dynamic parameters

■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation

■ Very high switching speed

■ In compliance with the 2002/93/EC European

Directive

DPAK

TO-252

IPAK

Description

TO-251

The device is manufactured using high voltage

Multi-Epitaxial Planar technology for high

switching speeds and high voltage capability.

Thanks to an increased intermediate layer, it has

an intrinsic ruggedness which enables the

transistor to withstand an high collector current

level during breakdown condition, without using

the transil protection usually necessary in typical

converters for lamp ballast.

Internal schematic diagram

Applications

■ Electronic ballast for fluorescent lighting

Order codes

Part number

Marking

Package

Packaging

BULD1101ET4

BULD1101E-1

BULD1101E

DPAK

IPAK

Tape & reel

Tube

May 2007

Rev 2

1/11

www.st.com

12 3 4 5 6 7...11

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