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BUL45D2

更新时间： 2024-11-13 22:17:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
12页 446K
描述
POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS

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BUL45D2 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN ANTISATURATION NETWORK
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：75 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：13 MHzBase Number Matches：1

BUL45D2 数据手册

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by BUL45D2/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
POWER TRANSISTORS  
5 AMPERES  
700 VOLTS  
75 WATTS  
The BUL45D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP).  
High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time)  
make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to  
guarantee an h  
window.  
FE  
Main features:  
•
•
•
Low Base Drive Requirement  
High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ I = 100 mA  
Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the  
H2BIP Structure which Minimizes the Spread  
C
•
•
•
Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode  
Fully Characterized and Guaranteed Dynamic V  
CE(sat)  
“6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads  
It’s characteristics make it also suitable for PFC application.  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
400  
700  
700  
12  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
V
CEO  
CBO  
V
CES  
EBO  
V
Collector Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
C
5
10  
I
CM  
Base Current — Continuous  
Base Current — Peak (1)  
I
2
4
Adc  
B
I
BM  
*Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
*Derate above 25°C  
P
D
75  
0.6  
Watt  
W/ C  
Operating and Storage Temperature  
T , T  
–65 to 150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance  
— Junction to Case  
— Junction to Ambient  
C/W  
R
θJC  
R
θJA  
1.65  
62.5  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:  
1/8″ from case for 5 seconds  
T
L
260  
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.  
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.  
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit  
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.  
Motorola, Inc. 1995
1234567...12

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BUL45D2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUL45D2G ONSEMI

完全替代

 High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor

与BUL45D2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUL45D2/D ETC

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 		High Speed， High Gain Bipolar NPN Power Trans
BUL45D2AF ONSEMI

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 		暂无描述
BUL45D2AJ ONSEMI

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 		5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BUL45D2AK ONSEMI

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BUL45D2AN ONSEMI

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 		5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BUL45D2AS ONSEMI

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 		TRANSISTOR 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BUL45D2AU ONSEMI

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 		5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
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 		5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BUL45D2BC ONSEMI

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 		TRANSISTOR 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BUL45D2BD ONSEMI

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 		5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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