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BUL129D

更新时间： 2024-11-26 19:52:43

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	185K
描述
4A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BUL129D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.81
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	450 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	65 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUL129D 数据手册

BUL129D

High voltage fast-switching

NPN power transistor

Features

■ Integrated antiparallel collector-emitter diode

■ High voltage capability

■ Low spread of dynamic parameters

■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation

■ Very high switching speed

Applications

TO-220

■ Electronic transformer for halogen lamp

Description

The device is manufactured using high voltage

multi-epitaxial planar technology for high

switching speeds while maintaining the wide

RBSOA. The device is designed for use in

electronic transformer for halogen lamp.

Figure 1.

Internal schematic diagram

Table 1.

Order code

BUL129D

Device summary

Marking

Package

Packaging

BUL129D

TO-220

Tube

January 2009

Rev 1

1/11

www.st.com

12 3 4 5 6 7...11

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